数据列表 IRFH7004PbF;_
标准包装 4，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET?，StrongIRFET?
其它名称 IRFH7004TRPBFTR
SP001570954
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 194nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6419pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 156W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-PQFN（5x6）
封装/外壳 8-VQFN 裸露焊盘
